等離子體修飾系統(tǒng)，利用三溫區(qū)管式爐，通過氧氣輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質(zhì)量的單層二硫化鉬薄膜。在生長過程中引入氧氣，不僅能夠阻止三氧化鉬源中毒，降低形核密度，而且還能減小硫空位密度，從而實(shí)現(xiàn)了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。

利用等離子體修飾系統(tǒng)，在自限生長的前提下，目前已實(shí)現(xiàn)了兩英寸晶圓級高質(zhì)量單層二硫化鉬的外延生長（100%覆蓋度，成膜均勻），并通過改進(jìn)轉(zhuǎn)移設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了晶圓級薄膜的零污染且襯底無損轉(zhuǎn)移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個(gè)藍(lán)寶石襯底上，而且沒有縫隙，沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米，相對取向?yàn)?60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。

等離子體修飾系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢

1、避免固態(tài)源中毒；

2、成膜均勻性好；

3、成膜面積大；

4、快速、生長速度可控。