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化學氣相沉積系統(tǒng)每一部工程作品都精雕細琢

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等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)CVD

多功能電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)(CVD)是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù),主要借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離,促進化學反應(yīng)在較低的溫度下進行,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。

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    多功能電感耦合等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)(CVD)是用來制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù),主要借助微波或射頻的方法將目標氣體進行電離,促進化學反應(yīng)在較低的溫度下進行,從而在基片上沉積出所期望的薄膜。


    目前項目團隊自主研發(fā)的CVD設(shè)備可在多種襯底上(如金屬、氧化物、半導體表面)直接生長以石墨烯為代表的各類新型二維材料,用于新材料、新器件的研發(fā)。工藝簡單廉價,且具有傳統(tǒng)半導體生長工藝的兼容性。

    等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)CVD等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例

    CVD應(yīng)用——Graphene在任意襯底上的無催化生長

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    CVD應(yīng)用——Graphene的各向異性刻蝕技術(shù)發(fā)展

    CVD應(yīng)用——Graphene的各向異性刻蝕技術(shù)發(fā)展2

    CVD應(yīng)用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調(diào)控

    CVD應(yīng)用——MoS2的原位氧取代摻雜和相變調(diào)控2

    CVD應(yīng)用——外延構(gòu)筑各種MoS2范德華異質(zhì)結(jié)

    CVD應(yīng)用——二/四英寸連續(xù)單層MoS2 的取向外延生長

    CVD應(yīng)用——二/四英寸連續(xù)單層MoS2 的取向外延生長2

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